L2N7002KW1T1G 时间：2025/8/13 6:49:00 阅读：25

L2N7002KW1T1G 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，广泛用于低电压和中等功率应用。该器件采用SOT-323（SC-70）小型封装，适用于便携式设备和空间受限的电路设计。L2N7002KW1T1G具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适合用于电源管理、负载开关、信号切换等应用。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：60V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：110mA
　　功耗（PD）：300mW
　　导通电阻（RDS(on)）：5Ω（最大值，在VGS=10V时）
　　阈值电压（VGS(th)）：1V至3V
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-323（SC-70）

特性

L2N7002KW1T1G MOSFET具备多项优异特性，适用于多种电子电路设计。其最大漏源电压为60V，能够承受较高的电压应力，适用于中低压应用。栅源电压最大值为±20V，确保在驱动过程中不会因过高的栅极电压而损坏器件。该MOSFET的连续漏极电流为110mA，适用于低电流开关和控制应用。
　　导通电阻RDS(on)的最大值为5Ω，在VGS=10V时具有较低的导通损耗，提高系统效率。此外，该器件的功耗为300mW，能够在小型封装下保持良好的热性能。其阈值电压范围为1V至3V，适用于多种驱动电路，包括微控制器和逻辑门电路。

应用

L2N7002KW1T1G MOSFET广泛应用于多个领域，包括消费电子、工业控制、通信设备和汽车电子。在消费电子产品中，常用于电池供电设备的电源管理、LED驱动和负载开关控制。在工业控制系统中，可用于继电器驱动、传感器信号切换和电机控制电路。此外，该器件也适用于通信设备中的射频开关和信号路由应用。
　　在汽车电子领域，L2N7002KW1T1G可用于车载电源管理系统、车灯控制电路和车载信息娱乐系统的电源开关。其高可靠性和宽工作温度范围使其适用于汽车环境中的各种控制模块。此外，该MOSFET也可用于电源适配器、DC-DC转换器和负载开关电路，提供高效的电源管理解决方案。