类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：115mA（在VGS=10V时）
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：5Ω（最大，在VGS=10V时）
　　阈值电压（VGS(th)）：0.8V至3.0V
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：SOT-23（3引脚）

L2N7002KLT1G-F-L2N7002KLT1G MOSFET具有多种优异的电气性能和可靠性，使其在多种电子电路中广泛应用。该器件的高速开关特性能够显著提高电路的效率，减少开关损耗。其低导通电阻确保了在工作状态下电流的顺畅流动，降低功耗。此外，该MOSFET具有宽泛的栅极电压范围，适用于多种控制电路设计。
　　在封装方面，L2N7002KLT1G采用SOT-23小型封装，体积小巧，适合在空间受限的应用中使用。其工作温度范围广泛，可在-55°C至+150°C之间稳定工作，适用于工业级和汽车级应用环境。该器件还具备较高的热稳定性和抗静电能力，增强了其在复杂环境中的可靠性。
　　此外，L2N7002KLT1G-F-L2N7002KLT1G具备良好的耐久性和长寿命，可反复进行开关操作而不会显著降低性能。这些特性使其成为便携式电子设备、电池管理系统、通信设备和自动化控制电路中的理想选择。

L2N7002KLT1G-F-L2N7002KLT1G MOSFET主要用于各种低电压、低电流的开关和控制电路中。例如，该器件可用于便携式电子设备（如智能手机、平板电脑和笔记本电脑）中的电源管理电路，实现高效能和低功耗设计。在电池供电系统中，该MOSFET可作为负载开关，用于控制外设或模块的供电，延长电池寿命。
　　此外，该器件也广泛应用于通信设备中的信号切换和隔离电路，确保信号传输的稳定性和可靠性。在自动化控制系统中，L2N7002KLT1G可用作小型继电器替代方案，实现快速和可靠的开关控制。同时，它还可用于LED驱动、传感器接口和逻辑电平转换等应用场景。

2N7002, 2N7002K, BSS138