类型: N沟道增强型MOSFET
　　漏极电流（ID）: 115mA（最大值）
　　漏源电压（VDS）: 60V
　　栅源电压（VGS）: ±20V
　　导通电阻（RDS(on)）: 5.5Ω（最大值）
　　功率耗散（PD）: 300mW
　　工作温度范围: -55°C 至 150°C
　　封装类型: SOT-23

L2N7002FWT1G MOSFET具有多项显著特性。首先，它拥有较低的导通电阻（RDS(on)），这使得在导通状态下功耗较低，从而提高了整体效率。此外，该器件的栅极电荷（Qg）较低，使得在高频开关应用中具有更快的开关速度，从而减少了开关损耗。
　　其次，该MOSFET具有较高的耐压能力，漏源电压（VDS）可达60V，适用于中等电压范围的电源管理应用。栅源电压范围为±20V，使其在多种驱动条件下都能保持稳定工作。
　　此外，L2N7002FWT1G采用SOT-23小型封装，体积小、重量轻，便于在高密度PCB设计中使用。该封装还提供了良好的散热性能，确保在额定电流下稳定运行。
　　该器件的温度稳定性较好，能够在-55°C至150°C的宽温度范围内正常工作，适合在恶劣环境条件下使用。同时，其低功耗设计和高可靠性使其成为电池供电设备、便携式电子产品和工业控制设备的理想选择。

L2N7002FWT1G MOSFET广泛应用于多种电子设备和系统中。常见用途包括电源管理电路、DC-DC转换器、负载开关、LED驱动电路、电池充电管理、电机控制和信号开关等。由于其良好的性能和小型封装，该器件特别适用于便携式电子产品，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及各种低功耗嵌入式系统。此外，在工业控制领域，该MOSFET可用于继电器驱动、传感器接口和自动化设备中的开关控制。

2N7002, 2N7002K, BSS138