时间：2025/8/13 7:17:40
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L2N7002ELT1G 是一款由ON Semiconductor生产的N沟道增强型MOSFET，广泛用于低电压和低电流开关应用。该器件采用先进的Trench沟道技术，提供了较低的导通电阻和优良的开关性能，适合在各种电源管理和控制电路中使用。该器件采用SOT-23封装，便于在小型电子设备中使用。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds)：60V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：115mA（最大值）
导通电阻(Rds(on))：5Ω @ Vgs=10V
阈值电压(Vgs(th))：1V~3V
功耗(Pd)：300mW
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：SOT-23
L2N7002ELT1G MOSFET具有多种优良的电气特性。首先，其较低的导通电阻有助于降低功率损耗，提高系统效率。其次，该器件的栅极电荷较低，使得开关速度更快，适用于高频开关应用。
此外，L2N7002ELT1G具备较高的热稳定性和可靠性，能够在较宽的温度范围内稳定工作。其±20V的栅源电压容限也提高了器件在高噪声环境中的稳定性。
由于其小型SOT-23封装，L2N7002ELT1G非常适合用于空间受限的便携式设备和高密度电路板设计中。同时，该器件符合RoHS环保标准，适用于现代绿色电子产品制造。
L2N7002ELT1G广泛应用于多种电子设备和系统中，包括电源管理电路、负载开关、LED驱动电路、电池供电设备以及逻辑电平转换器等。由于其快速开关特性和低导通电阻，该器件也常用于DC-DC转换器和小型电机控制电路中。
在消费电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，L2N7002ELT1G可用于高效电源管理和负载切换。在工业控制系统中，该MOSFET可用于传感器信号切换和小型继电器替代方案。
2N7002, 2N7002K, BSS138
