L2N7002E1M3T5G 时间：2025/8/13 19:27:02 阅读：9

L2N7002E1M3T5G 是一款由 ON Semiconductor 生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理和开关电路中。该器件具有低导通电阻、高耐压能力和快速开关特性，适合用于高效能、小型化电子设备的设计。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流：115mA
　　最大漏源电压：30V
　　最大栅源电压：20V
　　导通电阻（Rds(on)）：5Ω（典型值）
　　栅极电荷：10nC（典型值）
　　封装类型：SOT-23
　　工作温度范围：-55°C至150°C

特性

L2N7002E1M3T5G MOSFET 具备多项优异特性，包括低导通电阻（Rds(on)）和高耐压能力，使其在开关应用中具有较高的效率。其低栅极电荷特性有助于减少开关损耗，提高整体系统效率。此外，该器件的封装形式为 SOT-23，具有小型化和轻量化的优点，适合在高密度 PCB 布局中使用。其工作温度范围较宽，能够在极端环境下稳定工作，确保设备的可靠性。
　　该 MOSFET 的栅极驱动电压范围较宽，支持多种控制电路设计，适用于不同类型的电源管理系统。同时，其具备良好的热稳定性，能够在高负载条件下保持稳定性能，延长设备使用寿命。