L2N70002WT1G 时间：2025/8/13 11:53:24 阅读：30

L2N70002WT1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于低电压和中等功率应用。该器件采用先进的制造工艺，具有优异的导通电阻和快速开关特性，适用于各种电子设备中的功率控制和转换功能。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏极电流（ID）：115 mA（最大值）
　　漏源电压（VDS）：60 V
　　栅源电压（VGS）：±20 V
　　导通电阻（RDS(on)）：5 Ω（典型值）
　　栅极电荷（Qg）：3.5 nC（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOT-23

特性

L2N70002WT1G MOSFET 具备多项显著的技术特性。首先，其低导通电阻确保在工作时能够保持较低的功率损耗，从而提高整体系统的效率。其次，该器件具有较高的耐压能力，漏源电压（VDS）可达 60 V，适用于多种低功率电源管理应用。此外，L2N70002WT1G 具备较小的栅极电荷（Qg），使其在高频开关应用中表现优异，能够减少开关损耗并提升响应速度。
　　该 MOSFET 采用 SOT-23 小型封装形式，便于在空间受限的 PCB 设计中使用。其封装还具有良好的热稳定性，能够在较高的环境温度下可靠运行。L2N70002WT1G 还具备较高的抗静电能力（ESD 保护），能够在一定程度上抵御静电放电对器件的损害，提高整体系统的可靠性。