时间：2025/6/26 16:45:34
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L25L5V0CB2 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的 N 沱功率 MOSFET，采用 TO-263 封装。该器件具有低导通电阻和高效率的特点，适用于各种开关应用，如 DC-DC 转换器、电机驱动和负载开关等。其出色的性能使其在工业控制、汽车电子以及消费类电子产品中得到了广泛应用。
这款功率 MOSFET 采用了先进的制造工艺，确保了低功耗和高可靠性。此外，它还具备优异的热性能和电气性能，能够满足现代电子系统对高效能和小型化的需求。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：25A
导通电阻（典型值）：4.8mΩ
栅极电荷：19nC
开关时间：ton=75ns, toff=29ns
封装类型：TO-263
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
L25L5V0CB2 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，有助于降低传导损耗并提高整体效率。
2. 快速开关速度，适合高频开关应用。
3. 高雪崩耐量能力，增强了器件的鲁棒性。
4. 符合 RoHS 标准，环保且安全。
5. 具有良好的热稳定性和电气稳定性，能够在恶劣环境下正常工作。
6. 可靠的封装设计，提供出色的散热性能。
这些特性使得 L25L5V0CB2 成为许多高要求应用的理想选择。
L25L5V0CB2 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率转换阶段。
2. 各种类型的 DC-DC 转换器，例如降压或升压转换器。
3. 电机驱动电路，用于控制电动机的速度和方向。
4. 电池保护电路，防止过充或过放。
5. 工业自动化设备中的功率管理部分。
6. 汽车电子系统中的负载切换和保护功能。
由于其强大的性能和多功能性，L25L5V0CB2 在多个行业中都占据着重要地位。
L25L5V0CBT2, IRFZ44N, FDP5500
