类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：40V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　漏极电流（Id）：连续：4A（最大）
　　导通电阻（Rds(on)）：最大 85mΩ @ Vgs=10V
　　功率耗散（Pd）：1.5W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：CST

L1SS400CST1G 具备一系列优异的电气和热性能，能够满足各种高要求的应用需求。首先，该 MOSFET 采用先进的沟槽栅结构，能够显著降低导通电阻（Rds(on)），从而减少导通损耗，提高系统效率。在 Vgs=10V 时，其最大导通电阻仅为 85mΩ，这使得它在低电压大电流的应用中表现出色，例如在 DC-DC 转换器或同步整流器中。
　　其次，L1SS400CST1G 的漏源电压（Vds）为 40V，栅源电压（Vgs）为 ±20V，具备良好的电压耐受能力，能够适用于多种中低压功率转换电路。其最大连续漏极电流为 4A，能够满足大多数便携式设备和小型电源模块的电流需求。
　　此外，该器件采用小型 CST 封装，具有良好的热管理和空间利用率，适用于高密度 PCB 设计。封装结构还提供了良好的机械稳定性和焊接可靠性，适合自动化贴片生产流程。CST 封装的热阻较低，有助于将工作时产生的热量快速散发，从而提高器件的稳定性和寿命。
　　L1SS400CST1G 的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，能够在较为恶劣的环境条件下正常运行，适用于工业级和消费级电子产品。其存储温度范围也为 -55°C 至 +150°C，表明其在不同存储条件下的稳定性良好。
　　综上所述，L1SS400CST1G 凭借其低导通电阻、良好的热管理和小型封装等特性，成为电源管理、电池供电设备、负载开关等应用的理想选择。

L1SS400CST1G 主要应用于需要高效能和小型化设计的电子设备中。常见的应用包括 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、便携式电子设备（如智能手机、平板电脑、笔记本电脑）中的电源管理电路，以及各类低电压功率开关电路。由于其具备良好的热稳定性和高效率，L1SS400CST1G 也常用于工业自动化设备、传感器模块和通信设备中的电源控制部分。

Si4440BDY, FDS4410AS, IRF7404, AO4406A