器件类型：TVS二极管阵列
　　通道数：6
　　工作电压（VRWM）：11V
　　击穿电压（VBR）：12.3V @ 1mA
　　最大峰值脉冲电流（IPP）：2A
　　钳位电压（VC）：18V @ 2A
　　电容值（C）：典型值0.5pF @ 3.3V, 1MHz
　　反向漏电流（IR）：最大1μA @ 11V
　　保护引脚数：6路双向保护
　　封装类型：12-DFN (2x2.5)
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　符合标准：IEC 61000-4-2（±15kV空气/±8kV接触）、IEC 61000-4-4、IEC 61000-4-5
　　安装方式：表面贴装（SMD）

L17RRD1M11400的核心特性之一是其超低电容设计，典型值仅为0.5pF，这一特性使其非常适合应用于高频或高速数据传输线路中，例如USB 3.0、HDMI、DisplayPort、MIPI、SD卡接口等。在这些应用中，信号完整性至关重要，任何额外的寄生电容都可能导致信号衰减、反射或失真，进而影响系统性能。通过将结电容降至最低，L17RRD1M11400能够在不影响信号质量的前提下提供有效的ESD保护。此外，该器件采用对称双向TVS结构，能够同时应对正负方向的瞬态电压冲击，特别适用于交流耦合或双极性信号线。
　　另一个关键优势是其快速响应能力。TVS二极管在检测到超过击穿电压的瞬态电压时，可在皮秒至纳秒级别内导通，迅速将多余能量泄放到地，从而将线路电压钳制在安全范围内。这对于防止敏感CMOS逻辑电路、模拟前端或射频模块因静电放电而永久损坏至关重要。L17RRD1M11400支持IEC 61000-4-2 Level 4标准，可承受±15kV空气放电和±8kV接触放电，表明其具备强大的抗干扰能力和现场适用性。
　　该器件还具有低钳位电压特性，在2A峰值脉冲电流下钳位电压仅为18V，远低于许多传统保护器件，有助于降低下游IC所承受的应力。结合其11V的最大反向工作电压，适用于12V以下的低压信号系统。此外，其12-DFN（2mm x 2.5mm）小型封装不仅节省PCB空间，而且热性能良好，便于在高密度布局中实现多点防护。整体结构采用无铅、无卤素材料，符合现代绿色电子制造要求。

L17RRD1M11400广泛应用于需要高性能ESD保护的便携式和高性能电子设备中。典型应用场景包括智能手机和平板电脑中的高速接口保护，如USB Type-C、HDMI输出端口、音频插孔、SIM卡槽、TF卡接口以及摄像头模组连接器等。在这些设备中，用户频繁插拔外设或直接接触接口，极易引入静电，因此必须配备高效且不影响信号完整性的保护方案。L17RRD1M11400凭借其超低电容和快速响应特性，成为此类应用的理想选择。
　　在计算机与通信领域，该器件可用于保护笔记本电脑的Thunderbolt、DisplayPort或LAN侧信号线，也可用于路由器、交换机中的高速数据通道。工业控制系统中的人机界面（HMI）、触摸屏控制器、传感器接口同样可以受益于其稳定可靠的防护能力。此外，在汽车电子中，尽管主电源系统通常使用更高功率的TVS器件，但车载信息娱乐系统的辅助接口（如USB充电口、AUX输入）也可以采用L17RRD1M11400进行局部信号级保护。
　　医疗电子设备中对信号精度和系统稳定性要求极高，任何由ESD引起的误操作都可能带来严重后果。因此，在便携式监护仪、超声探头接口、数据通信端口中使用L17RRD1M11400，可显著提升系统的电磁兼容性（EMC）表现。总之，凡是存在高速信号传输且面临ESD威胁的应用场合，L17RRD1M11400都能提供一个紧凑、高效且可靠的解决方案。

RClamp0524P
　　SRDA05-4
　　TPD1E10B06