品牌：Power Integrations
　　产品系列：InnoSwitch?3-Pro
　　拓扑结构：反激式
　　控制器类型：电流模式PWM/PFM控制器
　　集成MOSFET：是（基于PowiGaN?技术）
　　MOSFET耐压：750V
　　输出功率范围：最高可达130W
　　工作频率：30kHz - 100kHz（可变）
　　控制模式：多模式准谐振（QR）/CCM/DCM
　　封装类型：InSOP-24D
　　引脚数：24
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　最大结温：150°C
　　同步整流驱动：是（次级侧同步整流控制）
　　反馈类型：数字磁感器（FluxLink?）隔离反馈
　　待机功耗：<30mW（典型值）
　　启动时间：<1s（典型）
　　保护功能：过压保护（OVP）、过流保护（OCP）、过温保护（OTP）、过载保护（OLP）、开环保护

L160DT90VD的核心特性之一是其采用了PowiGaN?技术，这项技术将氮化镓（GaN）材料应用于功率开关器件中，相较于传统的硅基MOSFET，GaN器件具有更低的导通电阻（Rds(on)）和更快的开关速度，从而大幅降低了开关损耗和传导损耗。这种高效能的开关特性使得L160DT90VD能够在更高的开关频率下运行，进而减小变压器和滤波元件的体积，提升电源的整体功率密度。这对于追求小型化和高效率的应用场景尤为重要，例如超薄电视、笔记本电脑适配器和高密度工业电源模块。
　　另一个关键特性是其集成的数字磁感器（FluxLink?）技术，该技术实现了初级侧与次级侧之间的高速、双向通信，无需使用光耦或辅助绕组即可完成精确的电压和电流调节。这不仅简化了电路设计，减少了外部元件数量，还提高了系统的可靠性和长期稳定性，避免了光耦老化导致的性能下降问题。此外，FluxLink?技术还支持动态调整输出电压和电流，实现恒压（CV）和恒流（CC）模式的精确控制，适用于电池充电等对精度要求较高的应用。
　　L160DT90VD还具备先进的多模式控制算法，能够根据负载情况自动切换工作模式，包括准谐振（QR）、连续导通模式（CCM）和断续导通模式（DCM），以在整个负载范围内实现最优效率。轻载时进入突发模式（Burst Mode），显著降低待机功耗，轻松满足全球最严格的能效标准，如Energy Star、DoE Level VI和EU CoC Tier 2。同时，该器件内置了完整的保护机制，所有保护功能均可配置为自动恢复或锁存模式，增强了系统的鲁棒性。

L160DT90VD广泛应用于需要高效率、高功率密度和高可靠性的离线式开关电源系统中。其主要应用领域包括但不限于：大功率手机和笔记本电脑USB-C PD充电器，特别是在支持65W及以上快充协议的适配器中表现出色；智能电视和显示器的主电源或辅助电源，尤其是超薄设计的TV背光电源系统；工业自动化设备中的直流电源模块，适用于PLC、HMI、传感器供电等场合；网络通信设备如路由器、交换机、PoE供电单元的内部电源；医疗设备中对EMI和可靠性要求较高的低功耗电源系统；家用电器中的集成电源方案，如微波炉、洗衣机、空调的控制板供电。由于其内置同步整流驱动和高集成度，L160DT90VD特别适合用于双路或多路输出电源设计，在减少元件数量的同时提升整体效率。此外，该器件也适用于需要满足严格安规认证（如UL、TUV、CB等）的全球市场产品，因其InSOP-24D封装提供了加强绝缘和爬电距离，符合IEC 60950和IEC 62368等安全标准。

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