时间：2025/7/29 11:36:03
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L14N1是一款常见的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理和开关电路中。该器件采用先进的平面技术，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适合用于各种高频率和高效率的电源转换应用。L14N1通常采用TO-220或DPAK等封装形式，便于散热和安装。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：40V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：14A
功耗（Ptot）：60W
工作温度范围：-55°C至+175°C
存储温度范围：-55°C至+150°C
导通电阻（RDS(on)）：0.04Ω（最大）
栅极电荷（Qg）：32nC
输入电容（Ciss）：1200pF
封装类型：TO-220 / DPAK
L14N1 MOSFET具有多项优异的电气和物理特性，使其在电源管理、电机控制和负载开关等应用中表现出色。其低导通电阻（RDS(on)）有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。此外，该器件具备较高的电流承载能力，能够在14A的连续漏极电流下稳定工作，适用于中高功率的应用场景。
该MOSFET的高栅源电压容限（±20V）增强了其在复杂驱动环境中的稳定性，降低了因栅极电压波动而导致损坏的风险。同时，其快速开关特性减少了开关损耗，提高了工作频率下的效率，适合用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池管理系统和电机驱动电路。
L14N1还具备良好的热稳定性，能够在高温环境下正常运行。其封装形式（如TO-220或DPAK）具有优良的散热性能，有助于将热量有效传导至PCB或散热片，从而延长器件的使用寿命并提高可靠性。
L14N1常用于各种电源管理系统和开关电路中。具体应用包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、逆变器以及工业自动化控制电路。由于其高效率和高可靠性的特点，L14N1也适用于汽车电子、消费类电子产品和工业设备中的功率控制模块。
IRFZ44N, STP16NF06, FDPF4N60, Si4410DY
