KYW35K6是一款高压功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高效率电源转换系统设计。该器件具有低导通电阻、高耐压能力和快速开关特性,适用于DC-DC转换器、AC-DC电源、电机驱动和电池管理系统等多种应用场合。KYW35K6采用先进的沟槽式MOSFET工艺制造,优化了器件的热性能和电气性能,使其在高电流负载下依然保持稳定的工作状态。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(VDS):600V
栅源电压(VGS):±20V
连续漏极电流(ID):35A(@TC=100°C)
脉冲漏极电流(IDM):140A
导通电阻(RDS(on)):≤0.065Ω(@VGS=10V)
工作温度范围:-55°C ~ +175°C
封装形式:TO-247
KYW35K6 MOSFET采用了先进的沟槽结构技术,有效降低了导通电阻(RDS(on)),从而减少了导通损耗,提高了系统的整体能效。该器件具备优异的热稳定性,在高温环境下仍能保持良好的导电性能,适合用于高功率密度设计。其快速恢复二极管特性也使得开关损耗降低,有助于提高开关频率并减小外围元件的体积。此外,KYW35K6具有较强的雪崩能量承受能力,增强了器件在异常工况下的可靠性。
该MOSFET还具备出色的短路保护能力,能够在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏。其高耐压设计(600V VDS)使其适用于各种中高功率应用,如工业电源、光伏逆变器、电动汽车充电设备等。同时,KYW35K6的封装形式(TO-247)提供了良好的散热性能,便于安装在散热片上以提升整体热管理效果。
KYW35K6广泛应用于各类高功率开关电源系统,包括但不限于:
? 高频DC-DC转换器
? AC-DC电源适配器与服务器电源
? 电机控制与驱动电路
? 工业自动化设备电源模块
? 光伏逆变器和储能系统
? 电动车充电模块及电池管理系统(BMS)
该器件特别适用于要求高效率、高可靠性和紧凑设计的电源系统,是现代高效能电子设备中不可或缺的核心组件。
STW35NK60Z, IXFH35N60P, FGL40N60SMD