KXPC860TZP80D4是一款由东芝(Toshiba)生产的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,专为高功率应用设计。该模块集成了多个IGBT芯片和反并联二极管,适用于工业电机驱动、电动汽车(EV)充电系统、可再生能源系统(如太阳能逆变器)等高功率转换场合。该模块采用紧凑型封装,具有良好的热管理和电气性能,能够在高电压和大电流条件下稳定工作。
类型:IGBT模块
最大集电极-发射极电压(VCES):650V
额定集电极电流(IC):860A
工作温度范围:-40°C至+150°C
封装类型:双列直插式封装(DIP)或类似工业标准封装
短路耐受能力:具备短路保护能力
导通压降:典型值约为2.1V(@ IC=860A)
反向恢复时间(trr):快速恢复型二极管,典型值小于1.5μs
绝缘等级:符合UL 94 V-0级标准
热阻(Rth):芯片至散热器热阻低,具体数值参考数据手册
KXPC860TZP80D4 IGBT模块具有多项先进特性,适用于高性能功率转换系统。首先,其高电流承载能力(高达860A)使其适用于大功率逆变器和变频器设计。其次,该模块内置快速恢复二极管,能够有效降低开关损耗并提高系统效率。此外,该模块采用先进的封装技术,具备良好的热传导性能,确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。
在电气性能方面,KXPC860TZP80D4具有较低的导通压降和开关损耗,有助于提高整体系统的能效。模块内部采用多芯片并联技术,提高了电流均匀分布能力和系统可靠性。同时,该模块具备良好的短路耐受能力,在异常工况下仍能维持一定的工作稳定性。
该模块还具有良好的绝缘性能和抗干扰能力,适合在高电压和恶劣环境条件下使用。其封装设计符合工业标准,便于安装和散热管理,适用于多种功率电子设备。另外,该模块在设计上考虑了EMI(电磁干扰)控制,有助于减少系统级干扰问题,提高整体电磁兼容性。
KXPC860TZP80D4 IGBT模块广泛应用于需要高功率密度和高可靠性的电力电子系统中。例如,在工业领域,该模块可用于变频器、伺服驱动器、电焊机和感应加热设备等高压大电流控制场合。在新能源领域,它可用于太阳能逆变器、风力发电变流器以及电动汽车充电系统等高功率转换装置。
此外,该模块也可用于轨道交通系统中的牵引变流器和辅助电源系统,提供高效稳定的功率控制能力。在智能电网和储能系统中,KXPC860TZP80D4同样具备良好的应用前景,能够支持高效能的电能转换与调节。
由于其出色的性能和可靠性,KXPC860TZP80D4在高性能电机控制、不间断电源(UPS)系统、电力储能系统以及工业自动化设备中均具有广泛应用价值。
SKM800GB12T4AgHM1, FS800R12PT4_B35, CM800DY-12H, IXYS IXGH800N12B4D1