时间：2025/8/1 8:35:37
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KX14-50K2D-RE 是由IXYS公司生产的一款双路N沟道MOSFET功率晶体管，专为高效率功率转换应用设计。该器件采用先进的Trench沟道技术，具备低导通电阻和优异的热性能，适用于各种高功率和高频率的开关应用。该器件封装在小型化的D2PAK（TO-263）封装中，便于散热和安装。
类型：双路N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：500V
最大漏极电流(Id)：14A @25°C
导通电阻(Rds(on))：0.26Ω @Vgs=10V
栅极电荷(Qg)：80nC
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：TO-263, D2PAK
KX14-50K2D-RE具有双路MOSFET设计，提供高效的功率控制能力，特别适用于需要双路独立控制的电源转换系统。其导通电阻较低，可显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件的高耐压能力（500V）使其适用于高电压输入环境，如工业电源、UPS系统和电机控制设备。此外，该MOSFET具备快速开关特性，有助于减少开关损耗，提高整体系统性能。采用TO-263封装，具备良好的热管理和散热性能，适合高功率密度设计。该器件还内置防静电保护和过热保护功能，增强工作稳定性和可靠性。
KX14-50K2D-RE广泛应用于各种功率电子设备，包括DC-DC转换器、AC-DC电源、UPS不间断电源、电机驱动器、逆变器、工业自动化设备以及高频电源转换系统。其双路MOSFET结构也使其适用于需要双路独立功率开关的控制电路。
IXFH14N50P2, IXTP14N50P2, KX14-50K2D-HF
