时间：2025/10/29 10:02:08
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KU82360SLB1是一款由三星电子（Samsung Electronics）生产的动态随机存取存储器（DRAM）芯片，属于FPM DRAM（Fast Page Mode Dynamic Random Access Memory）类型。该芯片广泛应用于20世纪90年代的个人计算机、工作站以及其他需要中等速度内存支持的电子设备中。作为早期PC架构中的关键内存组件之一，KU82360SLB1在当时的系统主板和内存模块设计中扮演了重要角色。该器件采用标准的异步DRAM架构，支持快速页模式访问，能够在连续地址读写操作中提升数据吞吐效率。其命名规则遵循三星DRAM的传统编码方式，其中‘KU’代表产品系列，‘82’表示DRAM类型，‘360’暗示容量与组织结构，而‘SLB1’则可能指代封装形式、速度等级或版本修订信息。尽管该型号目前已不再用于现代主流电子产品，但在老旧设备维护、工业控制系统升级以及历史硬件修复领域仍具有一定参考价值。
类型：FPM DRAM
容量：4 Mbit (512K x 8)
电压：5V ± 10%
访问时间：70ns / 80ns 可选
封装形式：SOJ-28（Small Outline J-leaded Package）
工作温度范围：0°C 至 70°C
组织结构：512K x 8 位
刷新周期：8ms 或 64ms（取决于具体配置）
数据总线宽度：8位
时钟频率：异步操作，无固定时钟输入
最大功耗：典型值约200mW（活动状态）
待机功耗：约50mW
KU82360SLB1具备典型的FPM DRAM工作特性，适用于需要稳定性和兼容性的老式计算平台。其核心优势在于支持快速页模式（Fast Page Mode），即在同一行地址激活的情况下，对不同列地址进行连续读写时无需重复行地址选通，从而显著提升数据访问效率。这种机制特别适合处理连续数据块的应用场景，如图形显示缓冲、内存拷贝等操作。该芯片采用标准的地址多路复用技术，通过行地址选通（RAS）和列地址选通（CAS）信号分时传输地址信息，有效减少了引脚数量并提高了集成度。此外，其5V供电设计符合当时TTL电平逻辑系统的通用规范，便于与同期的CPU、北桥芯片组直接接口而无需电平转换电路。
该器件支持标准的DRAM控制信号，包括片选（CS）、写使能（WE）、输出使能（OE）等，确保了良好的系统兼容性。在刷新管理方面，KU82360SLB1依赖外部控制器执行定期刷新操作以维持存储单元中的电荷，防止数据丢失。其SOJ-28封装具有较小的占板面积和良好的散热性能，适合高密度内存条布局。虽然其访问速度相较于后期的EDO DRAM和SDRAM较慢，但在其时代背景下已能满足大多数386、486及早期Pentium处理器系统的性能需求。此外，该芯片在抗干扰能力和长期运行稳定性方面表现良好，适用于工业环境下的嵌入式系统应用。
KU82360SLB1主要应用于20世纪90年代初期至中期的各类计算机系统中，尤其是基于Intel 80386、80486以及初代Pentium处理器架构的台式机和笔记本电脑。它常被用作主内存组件，集成于SIMM（Single In-line Memory Module）内存条上，构成系统的核心存储单元。此外，该芯片也广泛用于当时的图形加速卡、网络适配器、打印机控制器、工业控制主板以及其他需要可扩展内存支持的外设设备中。由于其标准化接口和成熟的设计方案，许多OEM厂商在其产品线中采用了该型号进行批量生产。在现代应用场景中，KU82360SLB1主要用于老旧设备的维修与替换，例如恢复经典PC、工控机、自动化仪器仪表等仍在服役的legacy系统。同时，在电子收藏、复古计算爱好者社区中，该芯片也是构建原生环境的重要元件之一。此外，部分教学实验平台也会使用此类经典DRAM芯片帮助学生理解内存工作原理、地址多路复用机制以及基本的存储器时序控制逻辑。
MT4C1024
