时间：2025/12/28 15:31:07
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KU3600N10D 是一款由东芝（Toshiba）制造的双极型晶体管，属于NPN型晶体管类别。该晶体管专门设计用于高功率和高频应用，例如在通信设备、射频（RF）放大器、电源管理电路中使用。其主要特点包括高电流容量、良好的热稳定性和高频性能，使其在需要高可靠性和高效率的系统中表现出色。KU3600N10D 采用 TO-220 封装形式，确保了良好的散热性能，并且适用于多种工业标准电路设计。
晶体类型：NPN型晶体管
集电极-发射极电压（VCEO）：100V
集电极-基极电压（VCBO）：150V
发射极-基极电压（VEBO）：5V
集电极电流（IC）：3A
功耗（PD）：30W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-220
KU3600N10D 晶体管具有出色的高频性能和高电流放大能力，非常适合用于射频放大和高功率开关电路。其最大集电极电流可达3A，在适当的散热条件下，能够承受较大的功率负载。此外，该晶体管的 VCEO 为100V，能够在较高的电压环境下稳定工作，同时具有良好的热稳定性，确保在高温条件下依然保持可靠的工作性能。KU3600N10D 还具有较低的饱和压降（VCE(sat)），有助于提高电路的整体效率，减少能耗。TO-220封装形式不仅提供了优良的散热能力，还便于安装和焊接，适合在各种工业和消费电子应用中使用。该晶体管的高频响应特性使其在射频电路中表现优异，可以用于高频放大、振荡器和调制电路等场景。
KU3600N10D 主要应用于需要高功率处理能力和高频响应的电子设备中。常见的应用包括射频功率放大器、高频开关电源、电机控制电路、音频放大器输出级以及工业自动化设备中的功率控制模块。由于其高可靠性和优异的热管理性能，该晶体管也广泛用于通信基站、无线发射设备和测试仪器等对性能要求较高的场合。
KU3600N10D 的替代型号包括：2SC3600、KU3600F10D、2SD1407、KSC3600
