时间：2025/12/28 16:04:03
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KU2307D-RTF/H是一款由KEC Corporation生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理和功率转换领域。这款MOSFET具有低导通电阻、高耐压和高电流承载能力，适用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关以及电池管理系统等应用场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：10A（在25°C）
功耗（Pd）：2W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装形式：TO-252（DPAK）
KU2307D-RTF/H的主要特性包括低导通电阻（Rds(on)），这有助于减少导通损耗并提高系统效率。该器件采用了先进的沟槽技术，使其在高频开关应用中表现出色。此外，该MOSFET具有良好的热稳定性和可靠性，能够在较高温度下稳定运行。其TO-252封装形式有助于实现良好的散热性能，适合在高功率密度设计中使用。该器件还具备良好的抗雪崩能力，增强了在恶劣工作环境下的耐用性。
此外，KU2307D-RTF/H具有较快的开关速度，能够满足高频率开关应用的需求，从而减少开关损耗并提高整体系统效率。其栅极驱动电压范围宽，适用于多种驱动电路设计，同时具备良好的短路耐受能力。
KU2307D-RTF/H常用于各类电源管理系统，如AC-DC适配器、DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机控制电路以及电池充放电管理系统。此外，它还可用于汽车电子系统、工业自动化设备、LED照明驱动电源以及消费类电子产品中的功率控制部分。由于其高可靠性和良好的热性能，该器件也适用于需要高稳定性的工业和汽车应用。
可替代型号包括IRFZ44N、Si4410BDY、FDS6680、AO4407A
