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KU10N14 发布时间 时间:2025/6/4 0:48:00 查看 阅读:5

KU10N14是一种高性能的MOSFET功率晶体管,广泛应用于电源开关、电机驱动和负载切换等场景。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻和快速开关特性,能够有效降低能耗并提高系统效率。
  该器件通常用于直流-直流转换器、逆变器、电池保护电路以及各种需要高效功率管理的应用中。

参数

型号:KU10N14
  类型:N沟道增强型MOSFET
  漏源极电压(Vds):14V
  栅源极电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):10A
  导通电阻(Rds(on)):8mΩ
  栅极电荷(Qg):25nC
  开关速度:快速开关
  工作温度范围:-55℃至+150℃

特性

KU10N14的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,可显著减少导通损耗,从而提升整体效率。
  2. 快速开关能力,适用于高频应用场合,有助于缩小无源元件的尺寸。
  3. 高度可靠的雪崩击穿能力,增强了器件在异常情况下的鲁棒性。
  4. 良好的热稳定性,使其能够在较宽的工作温度范围内保持性能一致性。
  5. 小型封装设计,适合紧凑型电路布局需求。
  6. 具备出色的静电放电(ESD)防护能力,提升了器件的耐用性和可靠性。

应用

KU10N14适用于以下应用领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
  2. 直流-直流转换器中的功率开关。
  3. 电机驱动电路中的功率级控制。
  4. 电池管理系统(BMS)中的负载切换。
  5. 便携式电子设备中的功率管理模块。
  6. 工业自动化设备中的功率转换与控制。
  7. LED驱动器中的调光和恒流控制。

替代型号

KU11N14
  KU12N14
  IRFZ44N
  FDP5570
  STP10NK06Z

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KU10N14参数

  • 制造商Shindengen
  • 最大转折电流 IBO100 A
  • 额定重复关闭状态电压 VDRM120 V
  • 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下)0.005 mA
  • 正向电压下降3 V
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体Case M-2F
  • 封装Reel - 7 in