KU047N08P 时间：2025/12/28 14:32:37 阅读：7

KU047N08P是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高性能功率转换和开关应用而设计。该器件采用先进的沟槽技术，具有较低的导通电阻（Rds(on)）和优异的开关性能，适用于需要高效能和高可靠性的电子系统。KU047N08P广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制、负载开关以及各种工业和消费类电子产品中。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：80V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：120A（在25℃下）
　　导通电阻（Rds(on)）：4.7mΩ（典型值）
　　工作温度范围：-55℃至175℃
　　封装类型：TO-263（D2PAK）
　　功率耗散（Pd）：200W

特性

KU047N08P采用先进的沟槽式MOSFET技术，使其在低电压应用中表现出色。其导通电阻仅为4.7毫欧，显著降低了导通状态下的功率损耗，从而提高了系统效率。该器件在高电流应用中具备出色的热稳定性和可靠性，能够承受较大的电流冲击而不发生热失控。此外，KU047N08P具有快速开关特性，能够有效减少开关损耗，提高整体系统的响应速度和能效。
　　该MOSFET的栅极驱动电压范围宽广，支持常见的10V至12V驱动电压，适用于多种驱动电路设计。其封装形式为TO-263（D2PAK），具备良好的散热性能，便于安装在PCB上并实现高效的热管理。
　　在短路和过载情况下，KU047N08P具有一定的鲁棒性，能够承受短暂的过载而不损坏。其高雪崩击穿能量能力进一步增强了其在严苛工作环境下的稳定性。这些特性使得KU047N08P在各种功率电子系统中成为一种可靠且高效的开关元件。

应用

KU047N08P广泛应用于各类高功率电子设备中，特别是在需要高效能和高可靠性的场合。例如，它常用于DC-DC转换器中作为主开关元件，以提高转换效率并减少发热；在电源管理系统中，该MOSFET可用于负载切换和电流控制；在电机驱动电路中，KU047N08P可作为H桥结构中的开关元件，实现高效的电机控制。
　　此外，该器件也适用于电池管理系统、逆变器、UPS（不间断电源）、LED照明驱动电路以及各种工业自动化和控制设备。由于其优异的导通性能和良好的热管理能力，KU047N08P也非常适合用于高密度电源模块和紧凑型电源适配器的设计。