时间：2025/12/28 15:55:43
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KU047N08P-U/P 是由KEXIN（科信）生产的一款N沟道功率MOSFET，主要用于高电流、高电压的功率转换和开关应用。该器件采用TO-252（DPAK）封装，具有良好的热性能和电气性能，适用于各种电源管理场合。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：80V
漏极电流（Id）：47A
导通电阻（Rds(on)）：13.5mΩ @ Vgs=10V
栅极电压（Vgs）：±20V
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装：TO-252（DPAK）
KU047N08P-U/P 具备低导通电阻，有助于降低功率损耗并提高系统效率。其高电流承载能力使其适用于需要大功率输出的应用，例如电源转换器、DC-DC变换器和电机驱动电路。此外，该器件具有优异的热稳定性和耐用性，能够在高温环境下稳定运行。
该MOSFET的封装形式为TO-252，便于在印刷电路板（PCB）上安装，并具有良好的散热性能。同时，其栅极驱动电压范围宽，适用于多种驱动电路设计。KU047N08P-U/P 在设计上优化了开关性能，减少了开关损耗，适用于高频开关应用。
KU047N08P-U/P 常用于电源管理领域，如开关电源（SMPS）、DC-DC降压/升压转换器、负载开关和电池管理系统。此外，它还可用于电机控制、LED驱动、逆变器以及工业自动化设备中的功率控制部分。由于其高可靠性和优异的导通性能，它在汽车电子和工业控制领域也具有广泛应用前景。
IRF1404、Si4410BDY、AUIRF1404S、KU040N08P-U/P
