电容：156 pF
　　额定电压：500 V
　　电容容差：±20%
　　温度系数：NPO（C0G）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装尺寸：1812（4532 公制）
　　介质材料：陶瓷

KTS500B156M55N0T00 是一款高性能的多层陶瓷电容器，采用了 NPO（C0G）介质材料，具有优异的温度稳定性和频率稳定性。该电容器的电容值在宽温度范围内保持恒定，且无老化现象，适用于对精度要求极高的电路设计。
　　其高耐压能力（500V）使其能够在高压环境中稳定工作，广泛应用于电源、射频和高频电路中。此外，该器件采用了1812封装尺寸，兼顾了高电容和紧凑设计的需求，适用于表面贴装工艺，便于自动化生产和高密度布局。
　　该电容器还具有低损耗、高Q值和优异的绝缘电阻特性，适合用于滤波器、振荡器和耦合电路等关键电路中，确保信号传输的稳定性和可靠性。

KTS500B156M55N0T00 通常用于高性能电子设备中，如通信基站、工业控制设备、测试仪器、医疗设备和航空航天系统。其高稳定性和耐压能力使其特别适用于射频电路、功率放大器、电源管理和高频滤波器等场景。
　　在射频和微波电路中，该电容器能够提供稳定的阻抗匹配和信号耦合，确保系统的高效运行。在工业控制和自动化系统中，它可以用于滤波和去耦，提高系统的抗干扰能力和稳定性。此外，由于其高可靠性，该器件也常用于军工和航空航天等对元件性能要求极高的领域。

KTS500B156M55N0T00的替代型号包括TDK的C1812X156M5GACTU、Murata的GRM32ER61H156MA12、以及Vishay的VJ1812Y156MXY0A。