电容值：1.5uF
　　容差：±10%
　　额定电压：50V
　　封装形式：表面贴装（SMD）
　　尺寸：具体尺寸根据型号后缀可能有所不同
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　ESR（等效串联电阻）：典型值依据具体设计而定
　　材质：钽

KTS251B155K55N0T00 钽电容器具有多项优异的电气和物理特性。首先，其高电容体积比使得在有限的空间内可以实现较大的电容值，满足现代电子产品对小型化的需求。其次，该电容器具有较低的漏电流，保证了电路的稳定性，尤其适用于低功耗和高精度电路。
　　此外，该型号电容器具有较宽的工作温度范围（-55°C 至 +125°C），能够在极端环境条件下稳定工作，因此广泛应用于航空航天、军工、工业控制等高要求领域。其表面贴装封装形式也便于自动化生产，提高了组装效率和可靠性。
　　该电容器的等效串联电阻（ESR）较低，有助于减少高频噪声和纹波电压，提升电源和信号的质量。同时，由于其固有的钽材料特性，具有较好的频率响应特性，适用于高频滤波和去耦应用。

KTS251B155K55N0T00 主要应用于对电容稳定性、可靠性要求较高的场合。例如，在通信设备中用于电源滤波和信号处理；在计算机主板和显卡中作为去耦电容，稳定电压；在医疗电子设备中确保电路的高精度运行；以及在汽车电子系统中应对复杂的工作环境。
　　此外，该型号也适用于便携式电子设备，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，用于提高设备的能效和延长电池寿命。由于其良好的温度稳定性和抗振性，也适合用于工业自动化设备、测试仪器和高端消费电子产品。

KTS251B155K55N0T00 的替代型号包括 KTS251B155K55N0T、KTS251B155K55N0T00A 等，具体替代需根据实际电路设计和封装要求进行匹配。