KTK5162S-RTK/P 时间：2025/9/12 13:33:45 阅读：3

KTK5162S-RTK/P 是一款由 KEC（东芝合资品牌，现为Largan Electronics旗下品牌）生产的N沟道功率MOSFET。该器件设计用于高效率、高频开关应用，具有低导通电阻和高功率密度的特点，适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、马达驱动器等场景。该MOSFET采用SOP（小外形封装）封装形式，便于表面贴装，适合现代电子设备的小型化和高集成度需求。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：20V
　　栅源电压（Vgs）：±12V
　　连续漏极电流（Id）：6A
　　导通电阻（Rds(on)）：32mΩ（典型值，Vgs=4.5V）
　　功率耗散（Pd）：2W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：SOP-8

特性

KTK5162S-RTK/P具有多项优异特性，使其在各类功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）确保在导通状态下损耗极低，从而提高整体能效。在6A连续漏极电流能力的支持下，该器件适用于中等功率级别的开关操作。此外，其支持高达±12V的栅源电压，具备较强的抗电压波动能力，有助于在复杂电路环境中保持稳定运行。该MOSFET采用SOP-8封装，具备良好的散热性能，同时适应自动化装配流程，降低制造成本。其宽广的工作温度范围也确保在极端环境下（如工业控制设备或车载系统）仍能保持稳定性能。
　　KTK5162S-RTK/P还具备快速开关特性，适用于高频工作环境，减少开关损耗并提高系统响应速度。这使得它非常适合用于DC-DC降压/升压转换器、电池管理系统、电源分配开关以及LED驱动等需要高效率和紧凑设计的应用中。此外，该器件具备良好的热稳定性和抗过载能力，在突发负载变化时仍能保持可靠运行。

应用

KTK5162S-RTK/P MOSFET广泛应用于多个电子领域。在电源管理领域，常用于同步整流、DC-DC转换器、负载开关以及电池充电/保护电路中，以提升能效和减小电路尺寸。在消费类电子产品中，如笔记本电脑、平板电脑和智能手机，它可用于电源管理单元或背光LED驱动。在工业控制领域，该器件适用于PLC模块、伺服驱动器和传感器供电系统。此外，在汽车电子中，KTK5162S-RTK/P可用于车载充电系统、LED车灯驱动、车载信息娱乐系统电源管理等应用场景。由于其高稳定性和紧凑封装，也适合用于无人机、智能机器人和IoT设备中的电源系统。