KTK5134S 时间：2025/12/28 14:41:36 阅读：10

KTK5134S 是一款由韩国公司KEC（High Voltage Semiconductor）生产的N沟道增强型功率MOSFET。这款MOSFET主要用于高功率开关应用，例如电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及各类功率调节系统。KTK5134S采用了先进的平面沟槽栅技术，具有较低的导通电阻和良好的热稳定性，适用于需要高效率和高性能的电子设备。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：34A
　　漏-源极击穿电压（VDS）：60V
　　导通电阻（RDS(on)）：约8.5mΩ（典型值，具体取决于VGS）
　　栅极电压（VGS）：±20V
　　最大功耗（PD）：100W
　　工作温度范围：-55°C至+175°C

特性

KTK5134S MOSFET具备多个优异的电气特性，使其在高性能功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。其次，该器件具有较高的电流承载能力，最大漏极电流可达34A，适用于大功率需求的应用场景。此外，KTK5134S采用了先进的平面沟槽栅技术，提升了开关速度和热稳定性，从而确保在高温环境下仍能可靠工作。
　　该MOSFET还具备良好的热保护性能，能够在高负载条件下维持稳定的运行状态，延长设备的使用寿命。其宽广的工作温度范围（-55°C至+175°C）也使其适用于严苛的工业环境。此外，KTK5134S的封装设计优化了散热性能，通常采用TO-252或类似的表面贴装封装形式，便于在PCB上安装和散热管理。
　　总体而言，KTK5134S以其高效率、低损耗和高可靠性，成为许多电源管理及功率控制应用的理想选择。

应用

KTK5134S广泛应用于各种功率电子设备中，例如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、LED照明电源、工业自动化设备以及汽车电子系统等。其高电流能力和低导通电阻特性使其特别适用于需要高效率和高可靠性的电源转换和控制电路。
　　在开关电源应用中，KTK5134S可用于同步整流电路，以提高电源转换效率；在DC-DC转换器中，它可用于高边或低边开关，实现电压调节功能；在电机驱动器中，该MOSFET可用于H桥电路，控制电机的正反转及速度；在电池管理系统中，KTK5134S可用于电池充放电控制和保护电路。此外，由于其良好的热稳定性和高耐压能力，KTK5134S也可用于车载电源系统和新能源设备中。