KTK5134S-RTK/P 时间：2025/9/12 13:56:20 阅读：4

KTK5134S-RTK/P 是一款由 KEC（韩国电子部件公司）生产的 N 沟道功率 MOSFET，广泛用于需要高效功率管理的电子设备中。这款 MOSFET 具有高电流和低导通电阻的特点，适合用于开关电源、DC-DC 转换器和负载开关等应用。

参数

类型: N 沟道
　　漏源电压(Vds): 30V
　　栅源电压(Vgs): ±20V
　　漏极电流(Id): 17A
　　导通电阻(Rds(on)): 23mΩ @ Vgs=10V
　　功率耗散(Pd): 42W
　　工作温度: -55°C ~ 150°C
　　封装类型: TO-252

特性

KTK5134S-RTK/P 的主要特性之一是其低导通电阻，这使得该器件在高电流应用中能够有效降低功率损耗并提高效率。导通电阻在 10V 栅极电压下仅为 23mΩ，这种低电阻特性确保了器件在高负载条件下仍能保持较低的温升。
　　此外，该 MOSFET 支持高达 17A 的连续漏极电流，这使其非常适合用于需要高电流处理能力的电源系统。同时，其 30V 的漏源电压额定值提供了良好的安全裕量，适用于多种低压功率转换应用。
　　该器件采用了 TO-252 封装形式，具有良好的热管理和散热性能。这种封装形式便于在 PCB 上安装，并且可以通过散热片进一步增强其散热能力，从而确保在高功率应用中的稳定运行。
　　KTK5134S-RTK/P 还具有较高的栅极耐压能力，其栅源电压额定值为 ±20V，这使得该器件在面对电压瞬态波动时仍能保持稳定工作，提高了系统的可靠性和耐用性。

应用

KTK5134S-RTK/P 由于其优异的功率处理能力和低导通电阻，被广泛应用于多个领域。例如，在开关电源（SMPS）中，该器件可以作为主开关元件，有效提高电源转换效率并降低发热。在 DC-DC 转换器中，它常用于高侧或低侧开关，以实现电压升降转换功能。
　　此外，该 MOSFET 也适用于电池管理系统（BMS），特别是在电动车辆或储能系统中作为充放电控制开关使用。其高电流能力和低导通电阻有助于提升系统整体效率和热稳定性。
　　在负载开关和马达控制应用中，KTK5134S-RTK/P 也表现出色，可以用来控制高功率负载的通断，同时减少功率损耗和热量产生。此外，它还适合用于电源管理模块、电源分配系统和工业自动化设备中的功率控制部分。