时间：2025/9/11 14:35:11
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KTK5132V-RTL/HS 是一款由 KEC（韩国电子部件公司）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛用于需要高效能和高可靠性的电源管理应用中。这款器件采用了先进的平面条形技术和 DMOS 结构，使其在高频率开关应用中表现出色。KTK5132V-RTL/HS 具有低导通电阻、高电流容量和优良的热稳定性，适合用于 DC-DC 转换器、负载开关、马达驱动器和电池管理系统等场景。该 MOSFET 采用 TO-252（DPAK）封装形式，具备良好的散热性能，适用于表面贴装技术（SMT）工艺。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏极电流（ID）：30A
最大漏极-源极电压（VDS）：30V
最大栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：23mΩ（典型值）
功耗（PD）：83W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TO-252（DPAK）
KTK5132V-RTL/HS 功率 MOSFET 的最大特点在于其较低的导通电阻，典型值为 23mΩ，这有助于减少功率损耗并提高效率。这种低导通电阻特性使其非常适合用于高电流应用，如电源转换和负载开关。此外，该器件具有高电流容量，最大漏极电流可达 30A，能够支持较大的负载能力。
该 MOSFET 还具有优异的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，其最大功耗为 83W，同时支持 -55°C 至 150°C 的宽工作温度范围。这种热稳定性确保了在高功率应用中的可靠性。
KTK5132V-RTL/HS 采用 TO-252（DPAK）封装形式，具备良好的散热性能，适用于表面贴装技术（SMT）工艺，简化了 PCB 设计和生产流程。由于其紧凑的封装尺寸和高功率密度，该器件在空间受限的应用中尤为适用。
此外，该 MOSFET 的栅极驱动电压范围较宽，通常为 ±20V，使其能够与多种驱动电路兼容，包括常见的 5V 和 10V 驱动器。这种灵活性使其在多种电源管理电路中得以广泛应用。
KTK5132V-RTL/HS 主要应用于需要高效功率管理的电子设备中，包括但不限于以下领域：DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、马达驱动器、电池管理系统、便携式电子设备电源管理、服务器和通信设备电源模块。由于其高电流容量和低导通电阻特性，该器件在要求高效率和高可靠性的电源设计中表现优异。
Si4410BDY-T1-GE3, IRF3710ZPBF, FDP3370N, TK20A04T10M
