KTK5131V-VSM 时间：2025/9/11 18:32:03 阅读：8

KTK5131V-VSM 是一款由KEC公司生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等高效率功率电子系统中。其封装形式为SOP-8，适合表面贴装工艺，具备良好的热稳定性和电气性能。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压(Vds)：30V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：5.1A（在25℃）
　　功耗(Pd)：2.5W
　　导通电阻(Rds(on))：约28mΩ（当Vgs=10V时）
　　工作温度范围：-55℃ 至 150℃
　　存储温度范围：-55℃ 至 150℃
　　封装类型：SOP-8

特性

KTK5131V-VSM 具备低导通电阻的特点，使其在导通状态下损耗极低，有助于提高整体系统效率。此外，该器件的栅极驱动电压范围较宽，在4.5V至20V之间均可稳定工作，适用于多种驱动电路设计。SOP-8封装形式不仅体积小巧，还具有较好的散热性能，适合高密度PCB布局。同时，其具备较高的热稳定性，能够在高温环境下保持可靠运行。
　　KTK5131V-VSM 的栅极氧化层经过优化设计，具有良好的抗静电能力和耐久性，提高了器件在复杂电磁环境下的可靠性。此外，其快速开关特性适用于高频开关应用，如同步整流、电源转换等，有效降低开关损耗，提升系统响应速度。
　　该MOSFET的漏极和源极之间采用先进的沟槽结构，显著降低了Rds(on)，从而减少了导通损耗，提高了功率处理能力。这种结构设计还增强了器件的电流承载能力，使其能够在大电流应用中保持稳定性能。