类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：40V
　　最大漏极电流(Id)：80A（在25°C）
　　导通电阻(Rds(on))：最大为2.7mΩ（在Vgs=10V）
　　栅极阈值电压(Vgs(th))：1.0V至2.5V
　　最大功耗(Pd)：200W
　　工作温度范围：-55°C至175°C

KTK1140 具备多项优异特性，适用于高要求的功率应用。其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统效率。该器件采用了先进的沟槽MOSFET技术，使导通电阻和开关损耗之间达到了良好的平衡。
　　其高电流承载能力（80A）和40V的漏源电压额定值使其适用于多种中高功率应用，如DC-DC转换器、电源管理模块和负载开关。此外，该MOSFET具备良好的热稳定性，能够有效散热，保证在高负载条件下的稳定运行。
　　KTK1140 还具备快速开关特性，降低了开关损耗，从而提高了整体能效。栅极阈值电压范围为1.0V至2.5V，允许使用常见的驱动电路进行控制，兼容多种控制器和驱动IC。
　　封装方面，通常采用TO-263（D2PAK）或TO-220等表面贴装或通孔封装形式，便于散热和PCB布局。该器件符合RoHS环保标准，适合现代电子设备的绿色制造要求。

KTK1140 主要用于各种高功率密度和高效率要求的电力电子系统。其典型应用包括但不限于：开关电源（SMPS）、DC-DC降压/升压转换器、电池管理系统、电机驱动电路、负载开关以及工业自动化和电源管理系统。
　　在开关电源中，KTK1140 作为主开关元件，能够实现高效能的电能转换；在DC-DC转换器中，它用于高频率的开关操作，以提高转换效率；在电池供电设备中，该MOSFET可作为高效的负载开关，控制电源通断并降低待机功耗。
　　此外，由于其高可靠性和良好的热管理能力，KTK1140 也广泛用于电动汽车、太阳能逆变器和工业电机控制等高要求的应用场景。

SiR140DP, FDP8030, IPW90R024C7, IRF1405