电容值：6.8μF
　　容差：±20%
　　额定电压：50V
　　电介质类型：X7R
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装尺寸：1210（3.2mm x 2.5mm）
　　绝缘电阻：≥10,000MΩ
　　损耗角正切（tanδ）：≤2.5%
　　温度特性：±15% 在 -55°C 至 +125°C 范围内

KTJ101B685M55BFT00 具有优异的温度稳定性，能够在 -55°C 至 +125°C 的宽温度范围内保持电容值的稳定性，其X7R电介质确保了±15%的温度系数。该电容器还具有较低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），使其在高频条件下依然能够提供稳定的性能。
　　此外，该元件采用了多层陶瓷结构，提供了高电容密度，同时确保了良好的机械强度和耐久性。其低损耗特性使其非常适合用于RF和高速数字电路中的去耦和滤波应用。
　　在可靠性方面，KTJ101B685M55BFT00 经过了严格的测试，符合AEC-Q200标准，适用于汽车电子和其他高可靠性要求的应用场景。该电容器还具备良好的抗湿热性能，能够在恶劣环境中保持长期稳定运行。

KTJ101B685M55BFT00 主要应用于需要高稳定性和高频性能的电子设备中。例如，在汽车电子系统中，它可以用于电源去耦和噪声抑制，确保电子控制单元（ECU）的稳定运行；在通信设备中，该电容器可用于射频滤波和信号调理，提高数据传输的稳定性和可靠性。
　　此外，该元件还广泛用于工业控制系统、医疗设备和消费电子产品中，作为DC/DC转换器、电源管理模块和高频放大器中的关键元件，提供稳定的电容支持。
　　由于其符合AEC-Q200标准，KTJ101B685M55BFT00 特别适用于汽车动力系统、车身电子和车载信息娱乐系统等对可靠性要求较高的应用场景。

TDK C3225X7R2A685M160AA, Murata GRM32ER61H685KA12L, Kemet C1210C685M5RACTU