容量：10μF
　　容差：±20%
　　额定电压：50V
　　封装形式：SMD
　　尺寸：7343（公制：1812）
　　ESR（等效串联电阻）：1.8Ω（最大）
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　极性：有极性
　　电介质材料：钽（Ta）
　　端接类型：Ni/Sn

KTF500B106M55NHT00钽电容器采用了先进的钽电容制造技术，具有优异的电气性能和稳定性。该器件的容量为10μF，在额定电压下可提供稳定的电容值，容差为±20%。由于其低ESR特性（最大1.8Ω），这款电容器能够在高频应用中提供良好的滤波效果，并减少功率损耗。此外，KTF500B106M55NHT00具有宽工作温度范围（-55°C至+125°C），使其适用于各种严苛环境下的应用。该器件采用Ni/Sn端接材料，具有良好的焊接性能和耐腐蚀性，有助于提高长期可靠性。作为一款表面贴装（SMD）电容器，KTF500B106M55NHT00适用于自动化生产流程，提高了组装效率和产品一致性。此外，该器件采用了钽作为电介质材料，相较于传统铝电解电容器，具有更高的能量密度和更长的使用寿命。

KTF500B106M55NHT00钽电容器常用于工业控制设备、通信设备、计算机和消费电子产品中的电源管理、滤波和去耦电路。在工业自动化系统中，该电容器可为电源模块提供稳定滤波，确保设备在复杂电磁环境下的可靠运行。在通信设备中，KTF500B106M55NHT00可用于直流-直流转换器、电源供应器和射频（RF）电路中的去耦应用，以提高信号完整性和系统稳定性。此外，在高端计算机和服务器中，该器件可作为去耦电容器，确保微处理器和内存模块在高负载条件下的稳定供电。在消费电子产品中，如音频设备和便携式仪器，KTF500B106M55NHT00也能提供出色的滤波性能，提升整体音质和测量精度。

KEMET T520B106M050AS1T520B106M050ATE005T491A106M050AT