电容值：47000pF（47nF）
　　容差：±20%
　　额定电压：25V
　　温度系数：X7R
　　封装尺寸：1210（3.2mm x 2.5mm）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　绝缘电阻：≥10,000 MΩ
　　最大纹波电流：根据频率和温度而定

KTF251B473M31NLT00 具有优异的电气性能和机械稳定性。其采用 X7R 介质材料，能够在较宽的温度范围内保持稳定的电容值，适用于对温度稳定性要求较高的应用。该电容器的高耐压能力（25V）使其能够应用于多种电源和信号线路中，提供稳定的电容支持。
　　该型号的封装尺寸为 1210（3.2mm x 2.5mm），适合表面贴装工艺（SMT），提高了 PCB 布局的灵活性和组装效率。此外，KTF251B473M31NLT00 具有良好的抗湿性和抗热冲击能力，能够在恶劣的环境条件下稳定工作。
　　在高频应用中，KTF251B473M31NLT00 表现出较低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），有助于减少信号损失和电源噪声，提高系统的整体性能。其优异的自愈能力也使其在受到瞬时过电压冲击时能够恢复到正常工作状态，延长了使用寿命。

KTF251B473M31NLT00 主要用于需要高可靠性和高性能的电子设备中，例如电源管理模块、DC-DC 转换器、滤波电路、音频放大器和射频电路等。由于其良好的温度稳定性和高频特性，该电容器特别适用于需要稳定电容值和低损耗的场合。
　　在电源系统中，KTF251B473M31NLT00 可用于输入和输出滤波，减少高频噪声和纹波，提高电源的稳定性。在射频电路中，该电容器可用于阻抗匹配和信号耦合，确保信号传输的完整性。此外，它还可以用于去耦电路，为 IC 提供局部储能，减少电源波动对电路性能的影响。
　　工业控制设备、汽车电子系统、消费类电子产品以及通信设备中也常见该型号电容器的应用。其优异的环境适应能力和高可靠性使其成为多种应用场景的理想选择。

KTF251B473M31NLT00 的替代型号包括 Kemet KTF251B473M01NLT00、KTF251B473M21NLT00 和 TDK 的 C4532X5R2A473KQZC。这些型号在电容值、额定电压和封装尺寸上与 KTF251B473M31NLT00 相似，可以作为替代选择。