容值：4.7μF
　　容差：±20%
　　额定电压：10V
　　介质材料：X5R
　　封装类型：1210（3225公制）
　　工作温度范围：-55°C至+85°C
　　绝缘电阻：1000MΩ
　　损耗角正切（tanδ）：≤0.025
　　尺寸（长×宽×高）：3.2mm×2.5mm×1.6mm

KTF101B475M43NHT00电容器的核心特性之一是其采用X5R介质材料，这使得它在较宽的温度范围内具有良好的电容稳定性，其电容变化不超过±15%。此外，该电容器的容差为±20%，这意味着其实际电容值可能在4.7μF的基础上有±0.94μF的变化范围，适用于对精度要求不是特别高的应用场合。
　　该电容器的额定电压为10V，能够在低压电路中提供可靠的电容支持，同时具备较高的耐压能力。由于其小型化的封装设计（1210或3225公制尺寸），它非常适合在空间受限的电路板上使用，如便携式电子设备或高密度PCB设计。
　　另一个重要特性是其优异的绝缘性能，绝缘电阻高达1000MΩ，能够有效防止漏电流的发生，从而提高电路的稳定性和安全性。同时，其损耗角正切（tanδ）值较低（≤0.025），意味着在高频工作条件下，电容器的发热较少，效率更高，适合用于滤波、去耦和旁路电路中。
　　工作温度范围为-55°C至+85°C，表明该电容器可以在极端温度条件下保持正常工作，适用于工业级应用环境。其尺寸为3.2mm×2.5mm×1.6mm，便于自动化贴片安装，提高了生产效率和装配精度。

KTF101B475M43NHT00电容器广泛应用于多种电子设备中，主要作为去耦电容和滤波电容使用。在电源管理系统中，它可以有效地滤除高频噪声，稳定电压输出，确保系统的正常运行。例如，在DC-DC转换器、线性稳压器和电池管理系统中，该电容器可以作为输入或输出滤波电容，提供良好的电能质量。
　　在数字电路中，该电容器常用于去耦应用，通过吸收瞬态电压波动，防止电源噪声干扰IC的工作，从而提高电路的稳定性和抗干扰能力。此外，在模拟电路中，如音频放大器和射频电路中，该电容器也可用于耦合、旁路和频率响应调整，提升信号传输的质量。
　　在工业自动化和控制系统中，KTF101B475M43NHT00可以用于PLC模块、传感器接口和电机控制电路，确保系统在复杂电磁环境下的稳定运行。由于其良好的温度稳定性和高可靠性，该电容器也适用于汽车电子系统，如车载导航、娱乐系统和ECU（电子控制单元）等。
　　此外，在通信设备中，如路由器、交换机和基站模块中，该电容器可用于电源滤波和信号处理，提高设备的抗干扰能力和数据传输的稳定性。总之，KTF101B475M43NHT00是一款多用途、高性能的陶瓷电容器，适用于多种电子系统的广泛应用。

KTF101B475M43NHT00的替代型号包括Kemet KTF101B475M43NHT00的同系列产品如KTF102B475M43NHT00，以及其他品牌的类似规格电容器，如Murata的GRM32ER61C475KA12L和TDK的C3225X5R1C475K160AC。