KTD882-Y-U/PH 是一款基于 N 沯道 MOSFET 技术的功率开关管,广泛应用于电源管理、电机驱动和消费类电子设备中。该器件采用小尺寸封装技术,具有低导通电阻和快速开关特性,能够有效降低系统功耗并提升效率。
该芯片由国内知名功率半导体厂商生产,专为高效率、高性能的应用场景设计,适用于适配器、充电器、LED 驱动器以及各类 DC-DC 转换电路。
最大漏源电压:30V
最大连续漏极电流:25A
导通电阻(典型值):4.5mΩ
栅极阈值电压:1.5V~3.5V
工作结温范围:-55℃~175℃
封装形式:TO-263(DPAK)
KTD882-Y-U/PH 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗并提高整体效率。
2. 快速开关性能,支持高频操作,适合现代开关电源设计。
3. 内置反向恢复保护二极管,可防止因电感负载引起的反电动势损坏。
4. 强大的散热能力,即使在高电流条件下也能保持稳定运行。
5. 高雪崩能量承受能力,提升了器件的可靠性和耐用性。
这款功率 MOSFET 主要用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管。
2. DC-DC 转换器,特别是降压转换器的核心元件。
3. 各种电机驱动电路,如步进电机和直流无刷电机控制。
4. LED 驱动器,提供高效的电流调节功能。
5. 充电器及适配器内的功率级组件。
KTD882G, IRF3205, FDP5500