时间：2025/5/8 11:33:42
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KTD2854-AT/P 是一款基于 MOSFET 技术的 N 沟道功率场效应晶体管（Power MOSFET），广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关等场景。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够显著提升系统的效率和稳定性。
这款晶体管采用了先进的半导体制造工艺，封装形式为 TO-252（DPAK），使其在散热性能和安装便利性方面表现出色。同时，它具备优异的电气特性和可靠性，适合工业级和消费级应用。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：28A
导通电阻：4.5mΩ（典型值）
栅极电荷：16nC（典型值）
输入电容：1670pF
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
存储温度范围：-65℃ 至 +150℃
KTD2854-AT/P 的主要特点是其低导通电阻设计，这可以有效降低功率损耗，尤其在高电流应用场景下表现突出。
此外，该器件还具有快速开关能力，有助于减少开关损耗并提高整体系统效率。
其坚固的结构和宽泛的工作温度范围确保了其在各种恶劣环境下的可靠运行。
封装采用行业标准的 TO-252（DPAK），简化了 PCB 设计与焊接过程。
KTD2854-AT/P 主要应用于需要高效能和高电流处理能力的领域，包括但不限于以下场景：
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流器
2. 电机驱动电路中的功率级开关
3. DC-DC 转换器中的主开关或续流二极管替代
4. 各类负载开关及保护电路
5. 工业自动化设备中的功率控制模块
6. 消费电子产品的电源管理单元
IRFZ44N, KTK2854-AT/P, FDP5802
