KTD259EHD 时间：2025/12/28 16:20:02 阅读：16

KTD259EHD 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和功率放大电路中。该器件由韩国公司KEC（Korea Electronics Corporation）制造，具有较高的开关速度和较低的导通电阻，适用于DC-DC转换器、负载开关、马达控制以及电池供电设备等场景。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：30A
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：约4.5mΩ（典型值，VGS=10V）
　　栅极电荷（Qg）：约45nC
　　封装形式：TO-220
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

特性

KTD259EHD 的主要特性包括低导通电阻（RDS(on)），这有助于降低功率损耗并提高系统效率。其高电流承载能力（可达30A）使其适用于中高功率应用。该MOSFET具备良好的热稳定性和耐用性，能够在高温环境下稳定运行。此外，KTD259EHD 的 TO-220 封装便于散热，适合用于需要良好热管理的电路设计中。该器件还具有快速开关能力，适用于高频开关电源设计，降低开关损耗。其栅极驱动电压范围宽，通常在10V左右即可完全导通，兼容多种驱动电路。
　　KTD259EHD 还具备良好的抗静电能力，增强了其在实际应用中的可靠性。此外，由于其高耐压能力（60V VDS），该MOSFET适用于多种电压变换器、负载开关和电机控制应用。其封装形式支持通孔安装，适合用于传统PCB布局和高可靠性要求的工业设备中。

应用

KTD259EHD 常用于电源管理领域，如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器和电池充电电路。此外，该器件也适用于电机控制、LED驱动器、电源开关以及各种功率放大器设计。由于其高电流能力和良好的导热性能，它也常用于工业自动化设备、电动工具和汽车电子系统中。该MOSFET还可用于高边和低边开关应用，适用于需要高效率和高稳定性的系统设计。