时间：2025/7/26 17:57:33
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KTD257BEHD-TR 是一种N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于需要高效能和高可靠性的应用中。该器件采用先进的沟槽式技术，提供低导通电阻（RDS(on)）和高电流承载能力，适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等场景。该MOSFET封装为SOT-223，适用于表面贴装工艺，便于在紧凑型电路设计中使用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：15A
最大漏源电压（VDS）：200V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：0.16Ω @ VGS=10V
功率耗散（PD）：40W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：SOT-223
KTD257BEHD-TR 具备多项高性能特性。首先，其低导通电阻确保了在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗，提高整体系统效率。其次，该MOSFET具备高耐压能力，漏源电压最大可达200V，适用于多种中高功率应用场景。此外，其高栅极电压容限（±20V）增强了器件在复杂电路环境中的稳定性与可靠性。
该器件的SOT-223封装设计不仅节省空间，还提高了热管理和机械强度，适用于高密度PCB布局。同时，其40W的最大功率耗散能力使其在高负载环境下依然保持稳定运行。KTD257BEHD-TR还具备快速开关特性，适用于高频开关电源和电机控制电路，降低开关损耗并提升响应速度。
KTD257BEHD-TR 主要应用于各类功率电子设备中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动电路以及工业自动化控制系统。此外，它也适用于LED照明驱动器、不间断电源（UPS）以及电动车充电模块等高可靠性需求的场合。由于其高效率和高耐压特性，该MOSFET在需要稳定功率控制的消费电子和工业设备中得到了广泛应用。
IRFZ44N, FDPF10N20, STP15NF20, FQP15N20C
