时间：2025/9/11 14:42:55
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KTD2061Y是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理、电机控制、LED驱动以及开关电源等领域。该器件采用先进的沟槽技术，提供低导通电阻（RDS(on)），从而降低导通损耗并提高能效。KTD2061Y通常采用TO-252（DPAK）封装形式，具备良好的热稳定性和高电流承载能力。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：60V
栅源电压（VGS）：±20V
漏极电流（ID）：60A（最大）
导通电阻（RDS(on)）：≤2.5mΩ（典型值）
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装形式：TO-252（DPAK）
KTD2061Y具有多个显著的电气和热性能优势。首先，其低导通电阻显著减少了在高电流应用中的功率损耗，提高了整体效率。其次，该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，使得在保持高耐压能力的同时，实现了较小的芯片尺寸，从而降低了成本并提高了集成度。此外，KTD2061Y具备优异的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行，适用于苛刻的工作条件。
该MOSFET的栅极驱动电压范围宽，通常在4.5V至20V之间均可正常工作，这使得它能够与多种驱动电路兼容。其快速开关特性也使其适用于高频开关应用，如DC-DC转换器和同步整流器等。在短路和过载条件下，KTD2061Y还表现出良好的鲁棒性，增强了系统的可靠性。
KTD2061Y广泛应用于多个领域，包括但不限于：
? 开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流器
? 电机驱动和H桥电路
? 大功率LED驱动器
? 电池管理系统（BMS）中的充放电控制
? DC-DC转换器和负载开关
? 工业自动化和电源分配系统
该器件适用于需要高效率、高可靠性和高电流能力的功率控制场景。
IRF1404、Si4410DY、NTMFS4C10N、FDMS86101、KTD2070Y
