类型：NPN晶体管
　　集电极-发射极电压（Vce）：30V
　　集电极-基极电压（Vcb）：30V
　　发射极-基极电压（Veb）：5V
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大功耗（Pd）：300mW
　　工作温度范围：-55℃~150℃
　　存储温度范围：-55℃~150℃
　　电流增益（hFE）：110-800（根据档位不同）
　　截止频率（fT）：100MHz

KTD1898-GR晶体管具备优异的高频响应性能，适用于需要高频操作的电子电路。其SOT-23封装不仅体积小巧，而且散热性能良好，能够适应多种电路设计的需求。该晶体管的电流增益（hFE）范围较宽，从110到800不等，可根据不同的应用需求选择适当的档位。此外，该器件具有较高的最大集电极-发射极电压（Vce）和集电极电流（Ic）额定值，能够在中等功率环境下稳定运行。
　　在可靠性方面，KTD1898-GR能够在-55℃到150℃的宽温度范围内工作，适合在恶劣环境下使用。其最大功耗为300mW，能够在不使用散热片的情况下有效运行。此外，该晶体管的封装符合RoHS标准，无铅环保，适合现代电子设备的生产需求。

KTD1898-GR晶体管常用于模拟和数字电路中的信号放大和开关控制。例如，在音频放大器中，它可以用作前置放大器以提高信号强度；在逻辑电路中，它可以用作开关元件来控制负载的通断；在电源管理电路中，它可用于稳压或电流调节。此外，它还广泛应用于消费类电子产品、工业自动化设备和汽车电子系统中，尤其是在需要高频响应和中等功率处理能力的场景中。由于其小尺寸封装，该晶体管也适用于PCB布局紧凑的便携式设备。

2N3904, BC547, 2N2222, KTC3198