时间：2025/9/11 17:28:01
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KTD1824-C-RTK/P 是一款由 KEC Corporation（现为 MagnaChip Semiconductor）生产的 N 沟道功率 MOSFET。该器件设计用于高效率的电源管理和功率转换应用，具备较低的导通电阻（Rds(on)），支持高电流负载和快速开关性能。MOSFET 封装采用 TO-252（DPAK）形式，适用于表面贴装技术（SMT），便于散热和集成在紧凑型电路板设计中。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：20V
栅源电压（Vgs）：±12V
连续漏极电流（Id）：40A
导通电阻（Rds(on)）：最大 5.5mΩ @ Vgs=10V
功率耗散（Pd）：83W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TO-252（DPAK）
KTD1824-C-RTK/P 具备优异的导通性能和快速开关特性，适用于要求高效率和高可靠性的电源系统。其低导通电阻（Rds(on)）可有效降低功率损耗，提高系统整体效率。该器件支持高达 40A 的连续漏极电流，适用于大电流负载应用，如 DC-DC 转换器、同步整流器、电池管理系统以及电机控制电路。
此外，该 MOSFET 的 TO-252 封装具有良好的热性能，支持表面贴装安装，便于与 PCB 散热设计配合使用。其栅极驱动电压范围为 4.5V 至 10V，适用于常见的逻辑电平驱动器，增强了设计的灵活性。器件还具备高雪崩能量耐受能力，提升了在瞬态条件下的可靠性。
KTD1824-C-RTK/P 在高温环境下仍能保持稳定工作，具有良好的长期稳定性和耐用性。适合用于工业电源、汽车电子、通信设备以及高功率便携设备等应用领域。
KTD1824-C-RTK/P 主要应用于需要高效能功率开关的场合，包括但不限于：
? DC-DC 转换器和同步整流器
? 电池管理系统和充放电控制电路
? 电机驱动和负载开关
? 电源管理模块和高效率电源供应器
? 汽车电子系统，如车载充电器和电机控制单元
? 工业自动化设备和高功率便携设备
Si4410BDY-T1-GE3, IRF3710ZPBF, FDS4410A, AO4410, IPD180N20N3GATMA1
