KTD1347C 时间：2025/9/11 19:35:40 阅读：13

KTD1347C 是一款由韩国Korea Electronics公司生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统等领域。这款MOSFET具备低导通电阻、高耐压和高电流能力，适用于需要高效能和高可靠性的电子系统。KTD1347C采用SOP-8封装形式，具有良好的热性能和电气性能，便于在高密度PCB设计中使用。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压(VDS)：30V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：8A
　　导通电阻(RDS(on))：17mΩ（典型值，VGS=10V）
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：SOP-8

特性

KTD1347C的主要特性之一是其低导通电阻，典型值为17mΩ，这使得在高电流应用中能够显著降低功率损耗，提高系统效率。该器件的漏源耐压为30V，栅源耐压为±20V，能够承受较高的电压应力，适用于多种电源管理应用。
　　此外，KTD1347C的最大连续漏极电流为8A，支持在较高负载条件下稳定运行。其SOP-8封装形式不仅节省空间，还具备良好的散热能力，有助于提升器件在高功率应用中的稳定性。
　　该MOSFET具备较高的热稳定性，能够在-55°C至150°C的温度范围内正常工作，适合在各种环境条件下使用。同时，其栅极驱动电压范围较宽，可在4.5V至20V之间正常工作，兼容多种驱动电路设计，便于工程师进行灵活配置。
　　KTD1347C还具备快速开关能力，有助于减少开关损耗，提高电源系统的整体效率。它在负载开关、同步整流、电机控制、电池保护电路等应用中表现出色，是一款性能稳定、应用广泛的功率MOSFET。

应用

KTD1347C适用于多种功率电子系统，包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统、便携式设备电源管理、电机驱动电路以及各类工业控制系统。其低导通电阻和高电流能力使其在高效能电源设计中表现出色，特别是在需要高效率和小尺寸封装的应用中具有显著优势。该器件也可用于电源管理IC（PMIC）的外围功率开关元件，增强系统的整体稳定性和效率。