KTD117EGG-TR 是一款由Korea Electronics Technology Institute(KETI)子公司生产的NPN型晶体管,广泛应用于低噪声放大器、射频(RF)电路以及高频开关电路中。这款晶体管以其优异的高频性能和稳定性著称,特别适合在需要高线性度和低失真的环境中使用。KTD117EGG-TR 采用SC-70或SOT-323等小型封装形式,适合高密度PCB布局。
晶体管类型:NPN
最大集电极电流(Ic):100mA
最大集电极-发射极电压(Vce):50V
最大集电极-基极电压(Vcb):50V
最大功耗(Ptot):200mW
最大工作温度:150°C
封装类型:SC-70/SOT-323
频率范围:高达100MHz
增益带宽积(fT):80MHz
电流增益(hFE):在Ic=2mA时为110~800(根据等级不同)
KTD117EGG-TR 是一款专为高频应用设计的双极型晶体管。其主要特性包括优异的高频响应、低噪声系数以及良好的线性度表现。该晶体管在100MHz频率范围内仍能保持稳定的增益性能,使其非常适合用于射频放大器、振荡器和混频器等电路。此外,KTD117EGG-TR 在低电流工作条件下仍能维持较高的电流增益,这使得它在便携式电子设备和低功耗系统中表现尤为出色。
该晶体管的封装形式为小型SC-70或SOT-323,具备良好的热稳定性和机械强度,适合表面贴装工艺(SMT),提高了生产效率并减少了PCB占用空间。其工作温度范围宽,可在-55°C至+150°C之间稳定工作,适用于工业级和汽车电子应用。
此外,KTD117EGG-TR 具有良好的热阻特性,能够在较高温度环境下保持稳定的工作性能。它的低噪声系数和高线性度特性,使其成为无线通信、音频放大和传感器信号调理等应用的理想选择。
KTD117EGG-TR 常用于射频(RF)和中频(IF)放大器设计,特别是在无线通信系统、FM收音机、无线遥控器和对讲机设备中。由于其良好的低噪声性能和高频响应,该晶体管也广泛应用于音频前置放大器、传感器信号放大器以及低功耗开关电路中。
此外,KTD117EGG-TR 还常用于工业控制电路、汽车电子系统、消费类电子产品以及便携式设备中的信号处理和放大环节。其小型封装和高可靠性也使其成为高密度PCB设计中的优选晶体管。
2N3904, BC817, 2N2222, KTC3199, KRC102S