KTD1047B 时间：2025/12/28 16:07:25 阅读：9

KTD1047B是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于电源管理和开关电路中。该器件采用先进的沟槽技术，具备低导通电阻（Rds(on)）、高效率和良好的热稳定性，适用于各类高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等场合。KTD1047B通常采用TO-252（DPAK）封装，便于散热并适应中高功率应用的需求。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：9A
　　脉冲漏极电流（Idm）：36A
　　导通电阻（Rds(on)）：最大23mΩ（在Vgs=10V时）
　　功率耗散（Pd）：60W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

KTD1047B采用了先进的沟槽式MOSFET技术，使其在同类产品中具有较低的导通电阻，从而显著降低导通损耗，提高系统效率。其低Rds(on)特性使得在大电流应用中发热更少，提升了整体系统的稳定性与可靠性。
　　该器件具有较高的电流承载能力，连续漏极电流可达9A，同时具备高达36A的脉冲漏极电流能力，适用于需要瞬间大电流的场合，如电机启动或电容充电等应用。
　　KTD1047B的封装形式为TO-252（DPAK），具备良好的热管理能力，便于通过PCB进行散热，适用于表面贴装工艺，简化了电路板的设计与制造流程。
　　此外，KTD1047B具备较高的栅极驱动兼容性，可与常见的逻辑IC（如微控制器、PWM控制器等）直接连接，适用于多种开关控制场景，尤其在DC-DC转换器、同步整流、电池管理系统和负载开关中表现优异。
　　该器件的工作温度范围广泛，从-55°C到+150°C，可在恶劣的环境条件下稳定运行，适用于工业控制、汽车电子、通信设备等对可靠性要求较高的应用场景。

应用

KTD1047B广泛用于各种中高功率的电子系统中，例如：
　　1. DC-DC转换器：作为主开关或同步整流器，提高转换效率并减小电源体积；
　　2. 电源管理系统：用于电池供电设备中的负载开关或充放电控制；
　　3. 电机驱动电路：用于直流电机或步进电机的H桥驱动，实现高效能控制；
　　4. 电源适配器与充电器：在AC-DC转换后的次级侧用作开关元件；
　　5. 工业自动化设备：作为功率开关用于继电器替代、传感器供电控制等场合；
　　6. 汽车电子系统：如车载充电器、车灯控制模块、电动助力转向系统等。