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KTD101B475M55A0T00 发布时间 时间:2025/9/10 6:28:39 查看 阅读:10

KTD101B475M55A0T00是一种多层陶瓷电容器(MLCC),专为高稳定性和高频率应用而设计。该电容器采用X7R电介质材料,具有良好的温度稳定性和可靠性,适用于各种工业和消费类电子产品。其额定电容为4.7μF,额定电压为50V,适用于需要高电容密度和稳定性能的电路中。

参数

电容值:4.7μF
  额定电压:50V
  电介质材料:X7R
  温度系数:±15%
  工作温度范围:-55°C 至 +125°C
  封装类型:表面贴装
  尺寸:1210(3.2mm x 2.5mm)
  绝缘电阻:≥10,000MΩ
  最大纹波电流:根据频率和温度变化

特性

KTD101B475M55A0T00电容器具有优异的温度稳定性,能够在-55°C至+125°C的宽温度范围内保持稳定的电容值。其X7R电介质材料确保了电容器在不同温度下的性能一致性,电容变化率不超过±15%。此外,该电容器具有较高的绝缘电阻和较低的等效串联电阻(ESR),使其在高频应用中表现出色,能够有效减少能量损耗和发热。其表面贴装封装设计便于自动化生产和高密度电路板布局,提高了整体电路的可靠性和稳定性。由于其优异的电气性能和机械性能,KTD101B475M55A0T00广泛应用于电源管理电路、滤波电路、去耦电路以及高频信号处理电路中。

应用

KTD101B475M55A0T00常用于电源管理模块、DC-DC转换器、开关电源、音频放大器、射频电路以及各类消费电子产品中的滤波和去耦应用。此外,它也适用于工业控制设备和通信设备中的高频信号处理电路。

替代型号

TDK C3225X7R2H475K160AB
  Murata GRM32ER61H475KA88L
  Kemet C0805X7R2H475K1RACTU
  Yageo CC0805KKX7RYY475K

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KTD101B475M55A0T00参数

  • 安装类型通孔
  • 容差±20%
  • 容差 正+20%
  • 容差 负-20%
  • 尺寸7.5 x 4.5 x 9mm
  • 最低工作温度-55°C
  • 最高工作温度+125°C
  • 深度4.5mm
  • 温度系数±20%
  • 电介质X7R
  • 电压100 V 直流
  • 电容值4.7μF
  • 长度7.5mm
  • 高度9mm