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KTD1003C 发布时间 时间:2025/12/28 15:50:41 查看 阅读:14

KTD1003C 是一款常用的NPN型晶体管,广泛应用于放大和开关电路中。该器件具有良好的电流增益特性和较快的开关速度,适合于低功率和中功率的电子电路设计。

参数

类型: NPN晶体管
  集电极-发射极电压(VCEO): 30V
  集电极-基极电压(VCBO): 50V
  发射极-基极电压(VEBO): 5V
  最大集电极电流(IC): 150mA
  最大功耗(PD): 300mW
  工作温度范围: -55°C 至 150°C
  封装形式: TO-92

特性

KTD1003C晶体管具有较高的电流放大系数(hFE),确保了良好的信号放大能力。其高开关速度使其适用于数字电路和脉冲电路。
  该器件的低饱和电压特性有助于降低功耗并提高电路效率。此外,KTD1003C采用了可靠的封装技术,具有良好的散热性能和机械稳定性。
  这款晶体管在制造过程中遵循严格的工业标准,确保了稳定的工作性能和较长的使用寿命。其通用性使其广泛应用于消费类电子、工业控制和汽车电子等领域。

应用

KTD1003C主要用于放大电路和开关电路,例如音频放大器、信号处理电路和电源管理电路。此外,它也常用于驱动LED、继电器和小型电机等负载。
  在数字电路中,KTD1003C可以作为逻辑门电路或缓冲器使用,以增强信号的驱动能力。由于其良好的稳定性和抗干扰能力,该晶体管也适用于通信设备和传感器电路。

替代型号

KTC3198, 2N3904, BC547

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