KTC802E 时间：2025/9/12 8:51:13 阅读：34

KTC802E 是一款常见的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和开关电路中。该器件采用TO-220封装，具有较高的电流承载能力和较低的导通电阻，适用于多种中高功率电子设备。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：500V
　　栅源电压(Vgs)：±30V
　　连续漏极电流(Id)：8A
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　导通电阻(Rds(on))：典型值为0.45Ω
　　封装形式：TO-220

特性

KTC802E MOSFET具备多项优良特性，适用于多种功率应用。首先，其漏源电压可达500V，使其适用于高电压开关应用。其次，该器件的连续漏极电流为8A，能够承受较高的电流负载，适用于中高功率电源设计。此外，KTC802E的导通电阻较低，典型值为0.45Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。该器件的栅源电压范围为±30V，具备较强的抗干扰能力，能够在较宽的控制电压范围内稳定工作。KTC802E采用TO-220封装，具备良好的散热性能，适用于各种工业和消费类电子设备。此外，该MOSFET的热阻较低，能够在较高温度环境下稳定运行，提高了系统的可靠性和稳定性。
　　在动态性能方面，KTC802E具有较快的开关速度，适用于高频开关电源、DC-DC转换器和马达驱动电路等应用。其输入电容和输出电容较小，有助于降低开关损耗，提高系统的整体效率。同时，该器件具备较高的抗雪崩能力，能够在瞬态过压和过流条件下提供较好的保护能力，延长器件的使用寿命。

应用

KTC802E MOSFET主要应用于各种电源管理系统，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器和马达驱动器等。其高耐压和较大电流承载能力使其适用于工业自动化设备、LED驱动电源、电池充电器以及消费类电子产品中的功率控制电路。此外，该器件还可用于UPS（不间断电源）、变频器和功率因数校正（PFC）电路中。