类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏极电流（Id）：80A
　　漏极-源极击穿电压（Vds）：100V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：最大 3.5mΩ（在 Vgs=10V 时）
　　功率耗散（Pd）：125W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装：TO-252（DPAK）

KTC801E-Y-RTK/P 具备出色的导通性能和开关特性，适用于高功率密度和高效率设计。其低导通电阻（Rds(on)）确保在大电流下保持较低的功率损耗，从而提高整体系统效率。
　　该 MOSFET 采用先进的沟槽式工艺，提供优良的热稳定性和可靠性，适合在高温环境下工作。此外，它具备良好的抗雪崩能力，可承受瞬时过电压，从而增强电路的安全性和稳定性。
　　TO-252（DPAK）封装具有良好的散热性能，便于在 PCB 上安装和布局。该器件还支持快速开关操作，适用于高频开关电源和电机控制应用。
　　此外，KTC801E-Y-RTK/P 具有高栅极电荷（Qg）兼容性，可以与常见的栅极驱动器配合使用，实现高效能的功率转换。其耐用性和稳定性使其成为工业控制、汽车电子和消费类电源设备中的理想选择。

KTC801E-Y-RTK/P 广泛应用于各类高功率电子设备中，如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电池管理系统、电机驱动器、逆变器以及 UPS（不间断电源）系统。
　　在工业自动化和电机控制领域，该 MOSFET 可用于高性能电机驱动器和变频器，提供高效、稳定的功率输出。
　　在汽车电子方面，该器件适用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和车载逆变器等应用，具备良好的耐温和耐压能力，适应复杂的汽车工作环境。
　　此外，它也可用于消费电子产品中的电源管理模块，如笔记本电脑电源适配器、LED 照明驱动器以及智能家居设备的电源部分。

IRF1404、SiR826DP、AON6514、KTD3803E