KTC5200 时间：2025/12/28 15:16:55 阅读：11

KTC5200是一款N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理和功率控制领域。这款器件采用先进的制造工艺，具有高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性，适用于各种高效率电源转换系统。

参数

类型：N沟道
　　最大漏极电流（ID）：14A
　　最大漏极-源极电压（VDS）：200V
　　最大栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.23Ω（最大）
　　功率耗散（PD）：50W
　　工作温度范围：-55°C至150°C

特性

KTC5200具有低导通电阻，这有助于降低功率损耗并提高整体系统效率。其高耐压能力（200V）使其适用于中高功率应用，例如开关电源和马达驱动器。
　　该MOSFET采用TO-220封装，具备良好的散热性能，适合在高负载环境下运行。此外，KTC5200的栅极驱动电压范围较宽（±20V），使其兼容多种驱动电路设计。
　　该器件还具备良好的抗雪崩击穿能力，提升了在高压瞬态条件下的可靠性。在高温环境下，KTC5200依然能保持稳定的性能，确保系统的长期运行可靠性。

应用

KTC5200主要用于电源管理系统，例如开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及马达控制模块。它也适用于工业自动化设备、电池充电器以及需要高耐压和低导通电阻的功率控制电路。
　　由于其高可靠性和良好的热管理特性，KTC5200也被广泛应用于LED照明驱动器、电源适配器以及各类消费类电子产品中的功率开关电路。