KTC4521F-R 时间：2025/9/11 17:33:58 阅读：38

KTC4521F-R是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由东芝公司生产。该器件专为高效率、高频率开关应用设计，广泛用于电源转换系统、DC-DC转换器、负载开关和电池管理系统中。该MOSFET采用先进的沟槽技术，具有较低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低功率损耗并提高系统效率。KTC4521F-R封装为SOP（小外形封装）或表面贴装形式，适合自动化装配流程，同时具备良好的热稳定性和电流承载能力。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：6.5A
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：最大28mΩ @ VGS=10V
　　栅极电荷（Qg）：16nC（典型值）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：SOP-8

特性

KTC4521F-R具有多项优异特性，首先是其低导通电阻，最大仅为28毫欧，这使得在导通状态下功率损耗极低，从而提高系统效率并减少散热需求。此外，该器件采用了先进的沟槽结构，使得在有限的芯片面积上实现更高的电流密度，从而提升整体性能。其栅极电荷（Qg）仅为16nC，有助于在高频开关应用中减少驱动损耗，提升响应速度。
　　该MOSFET支持高达6.5A的连续漏极电流和30V的漏源电压，适用于多种中低功率应用场合。其栅源电压范围为±20V，具备较强的抗过压能力，提高了使用的安全性。此外，KTC4521F-R的SOP-8封装形式具有良好的热管理能力，适用于表面贴装工艺，提高了生产效率和产品可靠性。
　　由于其出色的电气性能和稳定的封装设计，KTC4521F-R能够在高温环境下稳定运行，工作温度范围从-55°C到150°C，适用于工业级和车载电子等要求严苛的应用场景。

应用

KTC4521F-R广泛应用于各类电源管理系统中，如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电池保护电路以及电机驱动电路。在电源管理模块中，该器件可作为主开关元件，用于高效能转换和稳压控制，尤其适合需要高频开关和低功耗设计的场合。
　　在电池供电设备中，例如笔记本电脑、移动电源、电动工具和无人机，KTC4521F-R可用于电池充放电控制和保护电路，确保系统的安全运行。此外，该MOSFET也可用于汽车电子系统，如车载充电器、LED驱动器和车载逆变器等应用，满足汽车电子对可靠性和稳定性的高要求。
　　在工业自动化和通信设备中，KTC4521F-R适用于高效率开关电源和负载管理电路，提供稳定的功率控制和节能性能。