时间：2025/9/11 14:29:26
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KTC4521F-R-U是一款N沟道增强型功率MOSFET，适用于高频率开关应用，具备低导通电阻、高效率和良好的热稳定性。该器件广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等领域。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（ID）：2.1A
最大漏源电压（VDS）：60V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：1.2Ω（典型值）
栅极电荷（Qg）：7nC
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：SOT-23
功率耗散（PD）：100mW
KTC4521F-R-U具有低导通电阻，可以有效降低导通损耗，提高系统效率。其高频率响应特性适用于开关电源和高频电路应用。此外，该MOSFET具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，增强了系统的可靠性和耐久性。
该器件的SOT-23封装形式具有较小的体积，适用于高密度PCB布局，同时具备良好的散热性能。栅极电荷较低，有助于减少开关损耗，提高整体能效。其±20V的栅源电压耐受能力，使其在多种控制电路中都能安全使用。
在可靠性方面，KTC4521F-R-U具备较强的抗静电能力和过温保护特性，适用于各种工业级和消费类电子产品。其封装材料符合RoHS标准，支持环保应用。
KTC4521F-R-U常用于电源管理系统、DC-DC转换器、负载开关、LED驱动电路、电池管理模块以及电机控制电路等场景。其适用于便携式设备、智能家电、工业自动化设备和通信设备等电子系统。
2N7002, FDV301N, BSS138
