时间：2025/12/28 16:00:23
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KTC4419-CU/PF 是一款由日本东芝（Toshiba）公司生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于需要高效能和高稳定性的电源管理与功率转换应用中。该器件采用先进的沟槽式技术，具有低导通电阻、高电流容量和良好的热稳定性。KTC4419-CU/PF 通常应用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统、马达控制以及各种电源管理模块。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：30V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）：100A（在Tc=25℃）
导通电阻（Rds(on)）：最大1.8mΩ（在Vgs=10V时）
功率耗散（Pd）：130W
工作温度范围：-55℃至150℃
封装形式：TO-247AD
KTC4419-CU/PF MOSFET采用了先进的沟槽式结构，提供极低的导通电阻（Rds(on)），从而降低了功率损耗并提高了效率。其低导通电阻特性使其在高电流应用中表现出色，同时还能维持较低的工作温度。该器件具有较高的电流容量，能够承受较大的负载电流而不会出现显著的性能下降。此外，KTC4419-CU/PF具备良好的热稳定性，能够在高功率工作条件下保持可靠运行。
KTC4419-CU/PF的栅极驱动电压范围较宽，支持常见的10V至20V驱动电压，使得其能够兼容多种控制器和驱动电路。其高耐压能力（Vds为30V）使其适用于各种中低电压功率转换系统。此外，该器件具有快速开关特性，有助于减少开关损耗，提高整体系统效率。
在封装方面，KTC4419-CU/PF采用TO-247AD封装，具有良好的散热性能和机械稳定性，适用于高功率密度设计。该封装形式便于安装在散热片上，进一步提升其热管理能力。
KTC4419-CU/PF MOSFET主要应用于需要高效功率转换和高电流承载能力的电子系统中。常见的应用包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机控制电路、电源模块以及工业自动化设备中的功率控制单元。由于其高电流能力和低导通电阻特性，该器件也常用于高功率LED照明驱动、电源适配器和电动工具等消费类和工业类电子产品中。
SiHF4410-E3, IRF1404, IPW90R024C21ATMA1, AUIRF4410A
